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時(shí)間:2017/4/14 8:52:26
回答(1).版本不同,M版本更新
回答(2).一般情況下,用于設(shè)備上的芯片程序都會加密,非專業(yè)人員不能讀出程序代碼,如果不涉及知識產(chǎn)權(quán),可以考慮找專業(yè)解密公司給你解密,成功后會給你你需要的系統(tǒng)和客戶程序代碼。
回答(3).IC型號:K9F1208U0C IC描述:FLASH存儲器 IC廠商:Samsung semiconductor 概述 在64Mx8bit提供的K9F1208X0B是512M比特容量的備用16M位.該器件提供1.8V, 2.65V, 3.3V Vcc.及其 NAND 電池提供了大量的固態(tài)存儲市場最具成本效益的解決方案.一個(gè)程序可以進(jìn)行操作 典型200µs的528-byte頁面和一個(gè)可以進(jìn)行擦除操作典型2ms上16K-byte塊.頁面中的數(shù)據(jù) 可以讀出50ns每字節(jié)的周期時(shí)間.該I / O pins充當(dāng)?shù)刂泛蛿?shù)據(jù)輸入/輸出以及命令的端口 輸入.片上寫控制自動完成所有程序和擦除包括脈沖的重復(fù),在必要的功能,內(nèi)部 核查和裕度的數(shù)據(jù).即使是寫密集型系統(tǒng)可以利用K9F1208X0B′s擴(kuò)展的可靠性優(yōu)勢 100K編程/擦除通過提供實(shí)時(shí)映射出算法ECC(錯(cuò)誤糾正代碼)周期.是一本K9F1208X0B 最佳的解決方案大型非易失性存儲應(yīng)用,如固態(tài)文件存儲和其他需要便攜式應(yīng)用 非波動. IC型號:SN54LVT16245B IC描述:3.3-V ABT 16-BIT 總線收發(fā)器,3-STATE輸出 IC廠商:Texas Instruments IC型號:74LVT16245B IC描述:3.3 V 16-bit transceiver; 3-state IC廠商:NXP Semiconductors LVT16245B兩個(gè)廠家,功能一樣封裝一樣 該74LVT16245B; 74LVTH16245B是一種高性能的BiCMOS產(chǎn)品設(shè)計(jì) V CC 行動于3.3 V. 這個(gè)裝置是一個(gè)16-bit收發(fā)器具有不兼容輸出相3-state 總線 在發(fā)送和接收方向.最小化的控制功能的實(shí)現(xiàn) 外部時(shí)序要求.該器件具有輸出使能輕松輸入(nOE) 層疊和控制方向?yàn)榉较蜉斎?nDIR) IC型號:CY7C1041DV33 IC描述:4-Mbit (256K x 16)靜態(tài)RAM IC廠商:Cypress Semiconductor IC型號:IS41LV16100B-50TL IC描述:1M x 16 (16-MBIT)動態(tài)RAM與EDO頁模式 IC廠商:Integrated Silicon Solution, Inc 描述 該 ISSI IS41LV16100B是1,048,576 x 16-bit高perfor - 曼斯CMOS動態(tài)隨機(jī)存取存儲器.這些 器件提供一個(gè)加速周期訪問稱為EDO 頁面模式. EDO頁模式允許1,024隨機(jī)ac- 正如事實(shí)一行內(nèi)的訪問時(shí)間短周期 作為20 ns每16-bit字. 這些特性使得非常適合于IS41LV16100B 高帶寬的圖形,數(shù)字信號處理,高 高性能計(jì)算系統(tǒng),及周邊 申請 當(dāng)做內(nèi)存用的是CY7C1041DV33
回答(4).艾普科技NPF-6683燒錄器是專為批量燒寫NAND Flash而量身定做的工具,它具有如下特征: 一、 功能介紹 該款燒錄器支持16MByte(128Mbit)到8GByte(64Gbit)的NAND Flash的快速燒錄,適合具有預(yù)裝資料的GPS導(dǎo)航儀,MP4,PDA,學(xué)習(xí)機(jī),數(shù)碼相框,硬盤播放機(jī),游戲機(jī),電子書,點(diǎn)讀機(jī),語音地圖機(jī),監(jiān)控類等產(chǎn)品在大規(guī)模生產(chǎn)中使用,加密CF卡,加密U盤,加密SD卡等存儲工具的Flash原始數(shù)據(jù)復(fù)制(直接PC端復(fù)制不可用),它具有如下特征: 1.采用一托四的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可以對四片NAND Flash同時(shí)進(jìn)行燒錄,燒錄過程實(shí)時(shí)校驗(yàn),絕對保證數(shù)據(jù)的正確; 2.燒錄速度接近NAND Flash的速度極限,512Mbit小頁面Flash速度約1.4MByte/秒(帶校驗(yàn)),8Gbit大頁面SLC架構(gòu)Flash編程速度約3MByte/秒(帶校驗(yàn)),8Gbit大頁面MLC架構(gòu)Flash編程速度約2MByte/秒(帶校驗(yàn))。 3.標(biāo)配4.3寸超大真彩液晶屏,一切操作可視化,觸摸屏及按鍵雙輸入方式,無需連接電腦,方便用戶實(shí)時(shí)觀察燒錄過程; 4.支持以文件方式燒寫和母片拷貝兩種燒錄方式: (1)母片拷貝方式:用于將用戶原始Flash上的內(nèi)容拷貝到板載Flash,之后再將板載Flash上相應(yīng)的內(nèi)容寫入空的Flash; (2)文件方式燒寫:用戶可將指定文件置于U盤或編程器內(nèi)置硬盤,本方式讀出文件內(nèi)容按指定方式(可支持特殊文件系統(tǒng))寫入Flash; 5.可靈活配置多種參數(shù),如頁讀取、頁、塊內(nèi)容比較、生成文件、壞塊掃描、擦除、掃描有數(shù)據(jù)區(qū)間等等多種操作: (1)對母片拷貝方式,可設(shè)置特殊壞塊標(biāo)記,方便適應(yīng)不同的用戶不同的壞塊管理方式。且可設(shè)置拷貝區(qū)間,用戶可選擇拷貝有效數(shù)據(jù)區(qū)域,這樣在之后燒寫空片時(shí)可降低單位Flash的燒寫時(shí)間; (2)可讀取指定Flash任意頁的內(nèi)容顯示,方便用戶實(shí)時(shí)觀察Flash上的數(shù)據(jù)分布; (3)可獨(dú)立擦除指定的Flash,可獨(dú)立掃描指定Flash的壞塊,并形成詳細(xì)壞塊分布信息顯示于屏幕; (4)可掃描Flash上的空白頁或空白塊,方便用戶了解原始Flash上的空間使用情況; (5)可比較兩個(gè)Flash之間不同塊或不同頁的內(nèi)容,并將不同之處顯示于屏幕,并可順序?yàn)g覽每一處不同; 6.可根據(jù)用戶的特殊要求修改軟件,按你的特殊要求量身定做,修改周期不超過3個(gè)工作日,且可定制特殊的文件系統(tǒng); 7.支持帶操作系統(tǒng)的NAND Flash數(shù)據(jù)燒寫,如WINCE操作系統(tǒng)的XIP/BINFS情況下Flash分區(qū)的壞塊管理,解決了目前市面上的編程器在NAND Flash上的文件系統(tǒng)分區(qū)區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)壞塊單純跳過而造成的操作系統(tǒng)無法正確運(yùn)行或文件無法正常讀寫的問題。 二、 支持的Flash列表(TSOP、8BIT、3.3V) 1,三星 K9F2808U0*、K9F1208U0* 、K9F5608U0*、K9F1G08U0*、K9F2G08U0*、K9F4G08U0*、 K9F8G08 、 K9WAG08、 K9F5608U0*、 K9F1208U0*、 K9F1G08U0*、 K9F6408U0*、 K9K1208U0* 、 K9K1G08U0*、 K9K2G08U0*、 K9K4G08U0*、 K9K8G08U0*、K9G8G08*、K9GAG08U0*、K9LAG08U0......
回答(5).檢查下板子上的BMS或者NAND的跳線設(shè)置,at91sam9260是某種啟動順序來找啟動代碼的,如果都找不著,才會連SAM-BA 查看原帖>>
回答(6).建議采用外部存儲芯片來存儲這些數(shù)據(jù)。 K9F1208U0C我沒有用過。自己查查這塊芯片的資料吧。
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