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pcb分板過(guò)程中切割線路板基板時(shí)激光能量對(duì)材料的作用

時(shí)間:2017/6/8 10:52:29

與傳統(tǒng)的機(jī)械分板方法相比,使用現(xiàn)代激光系統(tǒng)進(jìn)行電路板分板可能會(huì)對(duì)制造工程師提出一些挑戰(zhàn)。為了利用激光技術(shù)的優(yōu)勢(shì),避免產(chǎn)生意想不到的副作用,必須充分了解激光能量對(duì)基板材料的正常影響。本文深入分析使用各種不同的激光系統(tǒng)在進(jìn)行分板時(shí)的操作參數(shù),以確定由此得到的基板材料溫度變化。我們建立了一套理論模型,用它和實(shí)際的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行比較。這項(xiàng)研究包括在分板過(guò)程中由激光能量造成的溫度上升對(duì)PCB基板性能的影響,它的影響包括從無(wú)法測(cè)量出來(lái)的變化到不同激光切割參數(shù)造成的切割縫側(cè)壁的表面電阻的下降。



分板方法


在SMT行業(yè)中有很多分板方法,例如:


1、沖剪/模切

2、v形劃刻

3、輪切割/比薩切割

4、鋸切

5、噴射水流

6、挖刻(+分段沖裁)


其中的一些方法只適合在成本非常低,質(zhì)量要求也不高的應(yīng)用中使用;其他方法只能用于矩形電路板。由于非常大的壓力和/或彎曲力可能會(huì)導(dǎo)致基板出現(xiàn)某種程度的分層,而這些分層可能會(huì)影響電路板的長(zhǎng)期可靠性,這是由于其中的一些方法可能會(huì)損壞電路板的邊緣。這一切都意味在電路板的布局過(guò)程中必須要注意保護(hù)脆弱的元件,并且有時(shí)還要使電路走線遠(yuǎn)離電路板的邊緣。幾乎沒(méi)有人嘗試開發(fā)用噴射水流來(lái)分板的方法。


圖1:在一塊拼版上使用幾種分離方法


最常用的方法是挖刻,不管電路板是什么形狀,拼板制造商都是按照圍繞各個(gè)電路板的切縫來(lái)切割的。在進(jìn)行組裝工藝的過(guò)程中,為了把電路板保持在拼板中,切縫在少數(shù)幾個(gè)位置是斷開的。在拼板中挖刻的切縫寬度通常約為3毫米,這表示在有很多小電路板的情況下,有相當(dāng)多的拼板空間用來(lái)做切割槽。有時(shí),拼板會(huì)因?yàn)槠渲杏泻芏嗖鄱兊脹](méi)有像原來(lái)那么堅(jiān)硬,在組裝過(guò)程中需要支撐拼板或托盤。為了讓電路板能夠更容易地從拼板中斷開,通常是在連接區(qū)域(切縫中斷的位置)鉆孔,這意味著在電路板布線過(guò)程中就必須確定這些鉆孔的位置,并且必須讓脆弱的元件遠(yuǎn)離這些位置。


激光切割


最新的分板方法是激光挖刻,它可以在電路板組裝工藝最后一個(gè)步驟完成之后進(jìn)行。這意味著拼板在進(jìn)行激光分板之前的所有組裝步驟中始終保持它的剛性。和挖刻器一樣,激光切割整塊電路板,因此不會(huì)產(chǎn)生使電路板邊緣彎曲或下壓的力,這表示沒(méi)有在電路板材料上施加壓力。由于使用激光,可以切割任何形狀的電路板,而且工藝如果完全是由計(jì)算機(jī)來(lái)控制的,可以很快切換到切割不同形狀的電路板。


激光系統(tǒng)


激光切割系統(tǒng)的三個(gè)主要部分包括激光,用于移動(dòng)拼板的X–Y坐標(biāo)板和用來(lái)移動(dòng)與定位激光束位置的掃描器。


有幾種類型的激光可以用來(lái)切割不同的材料。包括從20多年前波長(zhǎng)約10微米的二氧化碳激光到大約在10年前出現(xiàn)的波長(zhǎng)約350納米的紫外激光。大約在20年前引進(jìn)在不銹鋼模板切割系統(tǒng)中使用的1054納米波長(zhǎng)的Nd:YAG激光器。


隨著波長(zhǎng)變得更短,生產(chǎn)出經(jīng)濟(jì)便宜的激光器變得越來(lái)越困難。更短波長(zhǎng)的激光和那些非常窄的脈沖寬度通常都相當(dāng)昂貴,這就是為什么在組裝行業(yè)中要花時(shí)間來(lái)部署它們的原因。



圖2:激光分板系統(tǒng)的例子,在線自動(dòng)加載與卸載裝置


紅外激光被稱為“熱”激光,這是因?yàn)樗鼈冊(cè)诓牧现醒刂A(yù)定的路徑加熱和燃燒來(lái)切割材料。紫外激光能夠燒蝕材料。高能量短脈沖進(jìn)入材料的頂層,使材料蒸發(fā),以爆破的方式移掉一層材料。通過(guò)對(duì)同一路徑的多次燒蝕,最終完成材料的切割。由于紫外激光束產(chǎn)生的熱量很小,在切割路徑的邊緣極少甚至不燃燒材料,這取決于如何使用紫外激光(圖3)。



圖3:紅外線切割與紫外線切割


根據(jù)光的波長(zhǎng),有些材料會(huì)反射光,有些材料是完全透明的。為了使燒蝕方法起作用,激光束必須穿透到材料中進(jìn)行切割。從圖4中可以看到各種電路板成分對(duì)不同的光波長(zhǎng)的反應(yīng)。為了能夠燒蝕所有電路板,紫外激光是個(gè)不錯(cuò)的選擇。在過(guò)去的10年里,紫外激光(波長(zhǎng)約為350納米)在經(jīng)濟(jì)上的吸引力已經(jīng)顯現(xiàn)出來(lái)。



圖4:電路板的各種成本對(duì)不同波長(zhǎng)的反應(yīng)


紫外激光的波長(zhǎng)比較短,光學(xué)性能非常出色,因此它的光束尺寸能夠達(dá)到非常小,通常只有約15到25納米。這使它能夠在拼板中切割出一道非常窄的切縫,電路板之間的空間浪費(fèi)非常少,尤其是在系統(tǒng)結(jié)構(gòu)允許非常精確的激光束位置的情況中。圖5是有很小的電路板的拼板的部分的例子。在使用挖刻工藝時(shí),每塊拼板的電路板的數(shù)量大約是125個(gè),而拼板在經(jīng)過(guò)重新布局后,使用激光切割的電路板數(shù)量增加近三倍。這在經(jīng)濟(jì)方面的優(yōu)勢(shì)非常明顯。



圖5:非常小的電路的拼版的例子


在這個(gè)使用激光系統(tǒng)切割的例子中,一塊拼板放在有氣流向下流的有排孔表面上,或者通過(guò)機(jī)械方法安裝在高精度可移動(dòng)的X-Y坐標(biāo)板上,以防止拼板在切割操作過(guò)程中移動(dòng)。對(duì)于兩側(cè)都有元件的電路板,需要使用專用的支撐托盤。


為了切割在一塊拼板區(qū)域上所有的切割路徑,整個(gè)拼板區(qū)域分成多個(gè)50毫米x 50毫米的方塊,電腦通過(guò)安裝在電流計(jì)上的鏡子精密地控制激光束在各個(gè)方塊區(qū)域中的移動(dòng)。激光束在這些方塊區(qū)域中的移動(dòng)速度得到很好的控制,移動(dòng)速度最高可達(dá)到1000毫米/秒。如圖6所示,空氣流在切割時(shí)通過(guò)整個(gè)拼板,帶走碎片,盡可能減少留在拼板頂部的碎片。當(dāng)一個(gè)50毫米x 50毫米方塊區(qū)域內(nèi)的切割完成后,坐標(biāo)板移動(dòng)到下一個(gè)方塊區(qū)域,直到切割任務(wù)結(jié)束。


圖6:空氣流與排氣


定位精度


激光系統(tǒng)可以根據(jù)原始設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)(例如Gerber文件)使用拼板的基準(zhǔn)點(diǎn)定位要切割的位置。由電腦控制的坐標(biāo)板的移動(dòng)和電流計(jì)的移動(dòng),可以在假定的25微米范圍內(nèi)定位激光束。不過(guò),在分離電路板或柔性電路時(shí),拼板圖像的精度通常比較低,往往因?yàn)槿绱,?duì)于拼板中比較小的部分使用額外的基準(zhǔn)點(diǎn),變得很有必要。甚至可以使用電路板圖案可辨認(rèn)的部分來(lái)滿足更精確的電路板邊緣定位要求。


電路板表面的殘留物


即使氣流穿過(guò)整個(gè)切割區(qū)域(圖6),也不是所有被切下來(lái)的材料都會(huì)被氣流從切縫中帶走。一些留在切縫中的顆粒是粉末狀的環(huán)氧樹脂顆粒和玻璃顆粒。這些顆粒中經(jīng)過(guò)測(cè)量最大尺寸沒(méi)有超過(guò)20微米,平均尺寸在10微米左右。(請(qǐng)參見圖7中所示的圓形區(qū)域)。它們的尺寸和數(shù)量不會(huì)引起關(guān)注。


圖7:激光切割后的表面


但為了確定重新沉積的材料是否會(huì)引起問(wèn)題,設(shè)計(jì)出一種用FR4材料制作的厚度為800微米的測(cè)試電路板(圖7)。測(cè)試電路板有四種圖案,分為兩組,分別內(nèi)置了數(shù)字化梳狀器。把每一對(duì)這樣的梳狀器和電路板的邊緣連接起來(lái),便于測(cè)量表面絕緣電阻(SIR)。作為這個(gè)測(cè)試的一部分,在離梳狀器非常近的位置切割一個(gè)槽。在這個(gè)槽切割完成之后,這些測(cè)試電路板(在40°C,RH = 93%,無(wú)凝結(jié)的環(huán)境下)經(jīng)過(guò)長(zhǎng)達(dá)170個(gè)小時(shí)的氣候測(cè)試并測(cè)量表面絕緣電阻。在所有的測(cè)量值中,超過(guò)10E11歐姆就表示表面絕緣電阻沒(méi)有受到不良影響(圖8)。



圖8:表明電阻測(cè)量

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