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問題描述：1、顯影：推薦使用D-23、D-76顯影液 D-23低反差微粒顯影液 D-76微粒顯影液 清水（52℃） 750ml 750ml 米吐爾(美多) 7.5g 2.0g 無水亞硫酸鈉 100.0g 100.0g 對苯二酚(堅安) 5.0g 硼砂2.0g 加水至 1000ml 1000ml 配制時須按上述順序溶解配制，原液使用，不用稀釋，溫度20℃時，顯影時間6--10分鐘。 膠卷的反差隨顯影攪拌強弱而變化，攪拌越快，反差越高。顯影過程應(yīng)控制好攪拌強度。 如有需要，可適當(dāng)延長顯影時間以提高膠卷感光度。 2、停影：這是停止顯影的過程，顯影后將膠卷浸入2?醋酸溶液，時間20秒。 3、定影：推薦使用F-5酸性定影液 硫代硫酸鈉(海波) 240.0g 無水亞硫酸鈉 15.0g 28?醋酸 48ml 硼酸7.5g 鉀礬15.0g 加水至 1000ml 定影的作用是去除膠卷上沒有感光的乳劑,因此要保證這些乳劑全部清除干凈。使用新鮮的酸性定影液,定影時間5-10分鐘。 4、水洗:用流動清水漂洗,時間至少在15分鐘以上。 5、干燥:為避免干燥時產(chǎn)生水漬而影響照片的制作,可用專用的海綿(泡沫塑料)或擠干了水的大塊脫脂棉輕輕擦干片面上的水漬,然后懸掛至干,也可在溫度30-40℃的干燥柜或常溫下干凈無塵處進行干燥。

回答(1).實際曝光能量需根據(jù)干膜種類、厚度或油墨種類/厚度/烘烤時間確定，正常線路曝光使用能量40 -- 120mj/cm2，油墨曝光能量150-500mJ/cm2，具體以曝光尺為準；線路曝光尺5 --8格，油墨的曝光尺做到9 --13格。 曝光時必須抽真空充分，以免曝光不良，一般要求650mmHg以上真空度； 顯影時，顯影點控制在50 --70?內(nèi)，壓力1.5 --2.0kg/cm2。 曝光過度會導(dǎo)致顯影不凈；曝光能量不足會導(dǎo)致顯影過度。 具體不明白的地方可給我留言

回答(2).(1)酯基、羰基、碳碳雙鍵任答兩種(2)加成 (3) (4)

回答(3).D-7 顯影液 （底片、相紙通用） 溫水 30~45℃ 750ml 米吐爾 3g 無水亞硫酸鈉 45g 對苯二酚（幾奴尼） 12g 無水碳酸鈉 67.5g 溴化鉀 2g D-76型 粒顯影液 （底片用） 溫水 52℃ 750ml 米吐爾 2g 無水亞硫酸鈉 100g 對苯二酚（幾奴尼） 5g 硼砂 2g D-19型 高反差強力顯影液 （全息用） 溫水 50℃ 800ml 米吐爾 2g 無水亞硫酸鈉 90g 對苯二酚（幾奴尼） 8g 無水碳酸鈉 48g 溴化鉀 5g 注：將藥劑依次溶于溫水后，加水至1000ml。

回答(4).直接用google搜英文資料，關(guān)鍵詞是“spray developing"。噴射顯影的方式有幾種，binary spray，fan spray等等，你也可以找一本光刻工藝書了解，也可以加到搜索關(guān)鍵詞中。原理是通過二元噴嘴用壓縮空氣或氮氣將顯影液在噴嘴出口擊碎，以一定壓力噴射在硅片表面，將處于溝槽結(jié)構(gòu)內(nèi)失效顯影液及時置換出來，保持該處顯影液的反應(yīng)速度。當(dāng)然，也可以是普通壓力噴嘴，噴嘴產(chǎn)生的霧形也可以是多種多樣的。 噴涂顯影的說法是不對的，涂是涂覆的意思，對應(yīng)英文是coating。

回答(5).一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。硅片清洗烘干1、硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking）方法：濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙（熱板150～250C,1～2分鐘，氮氣保護）目的：a、除去表面的污染物（顆粒、有機物、工藝殘余、可動離子）；b、除去水蒸氣，使基底表面由親水性變?yōu)樵魉�性，增強表面的黏附性（對光刻膠或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。涂底2、涂底（Priming）方法：a、氣相成底膜的熱板涂底。HMDS蒸氣淀積，200～250C,30秒鐘；優(yōu)點：涂底均勻、避免顆粒污染；b、旋轉(zhuǎn)涂底。缺點：顆粒污染、涂底不均勻、HMDS用量大。目的：使表面具有疏水性，增強基底表面與光刻膠的黏附性。旋轉(zhuǎn)涂膠3、旋轉(zhuǎn)涂膠（Spin-on PR Coating）方法：a、靜態(tài)涂膠（Static）。硅片靜止時，滴膠、加速旋轉(zhuǎn)、甩膠、揮發(fā)溶劑（原光刻膠的溶劑約占65～85??涂后約占10～20?；b、動態(tài)（Dynamic）。低速旋轉(zhuǎn)（500rpm_rotation per minute）、滴膠、加速旋轉(zhuǎn)（3000rpm）、甩膠、揮發(fā)溶劑。決定光刻膠涂膠厚度的關(guān)鍵參數(shù)：光刻膠的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻膠的厚度越�。恍�轉(zhuǎn)速度，速度越快，厚度越��；影響光刻膠均勻性的參數(shù)：旋轉(zhuǎn)加速度，加速越快越均勻；與旋轉(zhuǎn)加速的時間點有關(guān)。一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長有關(guān)（因為不同級別的曝光波長對應(yīng)不同的光刻膠種類和分辨率）：I-line最厚，約0.7～3μm；KrF的厚度約0.4～0.9μm；ArF的厚度約0.2～0.5μm。軟烘4、軟烘（Soft Baking）方法：真空熱板，85～120C,30～60秒；目的：除去溶劑（4～7?；增強黏附性；釋放光刻膠膜內(nèi)的應(yīng)力；防止光刻膠玷污設(shè)備；邊緣光刻膠的去除5、邊緣光刻膠的去除（EBR，Edge Bead Removal）。光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。邊緣的光刻膠一般涂布不均勻，不能得到很好的圖形，而且容易發(fā)生剝離（Peeling）而影響其它部分的圖形。所以需要去除。方法：a、化學(xué)的方法（Chemical EBR）。軟烘后，用PGMEA或EGMEA去邊溶劑，噴出少量在正反面邊緣處，并小心控制不要到達光刻膠有效區(qū)域；b、光學(xué)方法（Optical EBR）。即硅片邊緣曝光（WEE，Wafer Edge Exposure）。在完成圖形的曝光后，用激光曝光硅片邊緣，然后在顯影或特殊溶劑中溶解；對準6、對準（Alignment）對準方法：a、預(yù)對準，通過硅片上的notch或者flat進行激光自動對準；b、通過對準標志（Align Mark），位于切割槽（Scribe Line）上。另外層間對準，即套刻精度（Overlay），保證圖形與硅片上已經(jīng)存在的圖形之間的對準。曝光7、曝光（Exposure）曝光中最重要的兩個參數(shù)是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距調(diào)整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的圖形。表現(xiàn)為圖形的關(guān)鍵尺寸超出要求的范圍。曝光方法：a、接觸式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當(dāng)，設(shè)備簡單。缺點：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，壽命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。b、接近式曝光（Proximity Printing）。掩膜板與光刻膠層的略微分開，大約為10～5......

回答(6).通過混合一定比例的三甲胺，三乙胺，和碳酸二甲酯，合成四甲基銨和三乙基單甲基銨碳酸單甲酯混合物中間體。然后經(jīng)過水解，純化，電解工序得到四甲基氫氧化銨和三乙基單甲基氫氧化銨混合銨顯影液溶液。同時也可通過加入碳酸二乙酯得到更多種類烷基結(jié)構(gòu)的烷基氫氧化銨水溶液。所得到的不同鏈長結(jié)構(gòu)的烷基氫氧化銨混合銨顯影液具有生產(chǎn)價格低，工藝簡單，金屬含量低，適合細精度窄線寬要求的短波長光源工藝的顯影需求。

回答(7).COB芯片板上組裝技術(shù)　　1．混合集成技術(shù) 當(dāng)今電子產(chǎn)品的趨勢，在一個小型組件或整機內(nèi)，不斷集成越來越多的器件和功能。混合集成技術(shù)成為增加包含有源與無源器件封裝密度的關(guān)鍵技術(shù)之一。 在混合集成各個步序，器件與電路間的互連，某些無源器件如電阻器等，直接在基板上采用厚膜或薄膜工藝淀積制成�；旌霞�成電路基板布局布線的設(shè)計有許多重要的參數(shù)；導(dǎo)線寬度，導(dǎo)線與鍵合盤最近連接的布線，鍵合強度，鍵合引線弧環(huán)的高度，熱耗散等都必須加以考慮。 厚膜集成電路工藝，器件與電路間的互連，導(dǎo)線與電阻都是在基板上，采用各種功能漿料印刷燒結(jié)而成。薄膜集成電路工藝，互連與導(dǎo)線采用電鍍或其他PD方法淀積在陶瓷基板上，光刻所需導(dǎo)電圖形，電阻與其他無源器件可印刷或焊接工藝裝連。當(dāng)基板上的無源表貼器件全部裝連完成后，芯片粘貼設(shè)備將電路芯片粘貼到基板的給定位置，接下使用鍵合設(shè)備進行金絲或鋁絲的鍵合，實現(xiàn)芯片與基板電路間的電氣連接，最后封裝。 混合集成技術(shù)能在一個非常小的基板上集成大量電路芯片和小型無源器件。如果采用標準T表面貼裝工藝，勢必要占用比混合集成技術(shù)高達20倍的。 混合集成電路過程需要對半導(dǎo)體晶圓工藝，以及芯片組裝和鍵合工藝的全面掌握。一些小不具備這些條件，而且小批量混合電路組件，其成本相對是昂貴的。然而混合集成電路的應(yīng)用涉及，，軍用，汽車與通訊領(lǐng)域，在這些領(lǐng)域中，混合集成電路技術(shù)是不可缺少的。 2.COB芯片直接板上組裝技術(shù) 許多年來，業(yè)界致力于混合集成電路技術(shù)的優(yōu)勢，但在成本沒獲突破。因此至今印制板組裝工藝在復(fù)雜電路裝聯(lián)仍不失為最好的選擇。只需對某些方面進行改進、裸芯片板上直接裝連鍵合工藝無疑是容易，可靠的。 COB芯片直接板上組裝技術(shù)首先用于數(shù)字鐘，手表。每塊印制、電路板裝有一塊芯片，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機，計算器，卡與各種智能卡。COB在復(fù)雜的電路組件如裝有5,個LED與IC驅(qū)動組合的的打印機模塊，先進數(shù)據(jù)處理電路32bitHP計算機母板安裝22個IC與一塊modem電路等產(chǎn)品擴大了應(yīng)用。 今天在單塊印制板組裝超過個芯片的多芯片工藝也得到成功，日本的娛樂設(shè)備及乎所有電子組件都已采用COB技術(shù)，在某些應(yīng)用領(lǐng)域COB大有取代T之勢。 成本表明DIP封裝成本經(jīng)常高出其內(nèi)含的芯片三倍之多。采用COB技術(shù)，省去了封裝成本可顯著降低，著在大批量生產(chǎn)尤為突出。 COB技術(shù)在歐州起步晚，應(yīng)用領(lǐng)域也正在不斷擴大，至今仍然無法與得以廣泛應(yīng)用的日本和美國相比，尤其在高組裝密度與薄型封裝的應(yīng)用方面。 3．COB組裝工藝 芯片板上直接組裝模塊與混合集成電路的工藝是非常類似的。其主要的差別是兩者使用的基本材料與封裝形式，COB使用的基板是有機印制電路板，而后者是陶瓷基板。COB的裸芯片被高分子有機樹脂包封或球形塑封，混合集成電路最后使用金屬外殼封裝。與標準T組裝工藝比較，COB與混合集成組裝制過程的工藝步序較少。 印制板或PCB是由許多不同材料制成，如酚醛樹脂，聚氨基甲酸樹脂，聚酰胺樹脂，有機硅，氟塑料等等，氟塑料（聚四氟乙�。┰诟邷丨h(huán)境下，具有高電阻的特性，聚氨基甲酸樹脂能適應(yīng)特別大的溫度變化，如汽車電子，在非常高的溫度條件，要求極小的熱膨脹系數(shù)，此時氟塑料是最能勝任的。 通常，COB印制板使用的導(dǎo)線材料為銅基導(dǎo)線，鍵合盤需要進行表面處理，在銅基材上鍍復(fù)2-4μm鎳，接下再鍍復(fù)0.1-0.2μm金(CuNiAu) 使用含銀環(huán)氧導(dǎo)電膠將芯片粘接到印制板安裝位置，在℃固化。功率器件的散熱問題是通過芯片背面與粘接的印制板的銅層形成熱路，最后組裝時，冷卻板固定安裝在散熱指或封裝體上。 芯片與印制板間的電路連......

回答(8).一般用丙酮清洗，但丙酮有腐蝕性，可能會腐蝕管道。另外接觸丙酮要帶抗丙酮手套