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問題描述：尊敬的三星用戶您好： 根據(jù)您的描述,非常抱歉，三星暫時沒有提供網(wǎng)絡查詢行水，真?zhèn)�，翻新、包修，生產(chǎn)日期、產(chǎn)地等信息的。如果您要鑒別產(chǎn)品是否為正品行貨及其它信息的話，請攜帶上您的購機發(fā)票、包修卡和筆記本，建議您到當?shù)氐娜�星服務中心檢測產(chǎn)品是否可以包修修及相關(guān)查詢，這個是最好也是最為準確的一種方法。三星售后服務中心地址與聯(lián)系方式： 三星企業(yè)知道，為您提供優(yōu)質(zhì)的解決方案，用心解答您的問題，希望能夠得到您的滿意評價。

回答(1).標簽上有二維碼，掃描一下看看。

回答(2).0939A2 ,就是09年第39周出廠的，很新呢，是N卡比較新的一代GTX架構(gòu)的顯卡

回答(3).單芯片4Gb DDR3-1866MHz，512MB的

回答(4).威剛的是沒有生產(chǎn)日期和序列號的，我以前用的紅色威龍也是沒有了，我致電了威剛廠家，他們售后服務部說是他們的內(nèi)存只有拿區(qū)評測的內(nèi)存才會才會輸入那些信息的，其他的都沒有這個信息。別的內(nèi)存都有！現(xiàn)在我的還用著的也沒有什么影響！如果你還是覺得懷疑，你可以致電：上海子公司 名稱：威剛科技有限公司—上海分公司 地址：上海市長寧區(qū)紅寶石路500號東銀中心B棟樓1802/1803 郵編: 201103 電話：+86(21)-3209-2166 傳真：+86(21)-3209-2167 網(wǎng)址： 電子信箱：info@adata.com.cn 北京子公司 名稱：威剛科技有限公司—北京分公司 地址：中國北京海淀區(qū)上地三街9號嘉華大廈A座407 郵編：100085 電話：+86(10)-5128-6922 傳真：+86(10)-8289-9532 網(wǎng)址： 電子信箱：info@adata.com.cn 威剛正品內(nèi)存防偽標簽上，提供了全國唯一查詢電話021-68644990,以及在線查詢網(wǎng)址威剛官方網(wǎng)站，刮開涂層，數(shù)字防偽編碼為16位，用戶可根據(jù)此16位編碼撥打電話或登陸威剛網(wǎng)站查詢驗證產(chǎn)品真?zhèn)巍?/p>

回答(5).不同的廠家代碼不一樣，但容量標碼一至，你這兩個一個是128M，一個是256M 例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含義： 第1位——芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。 第2位——芯片類型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——數(shù)據(jù)線引腳個數(shù)，08代表8位數(shù)據(jù)；16代表16位數(shù)據(jù)；32代表32位數(shù)據(jù)；64代表64位數(shù)據(jù)。 第11位——連線“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。 知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義，拿到一個內(nèi)存條后就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內(nèi)存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣我們可以計算出該內(nèi)存條的容量是128Mbits（兆數(shù)位） × 16片/8bits=256MB（兆字節(jié)）。 注：“bit”為“數(shù)位”，“B”即字節(jié)“byte”，一個字節(jié)為8位則計算時除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內(nèi)存，每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存；另一種ECC內(nèi)存，在每64位數(shù)據(jù)之后，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內(nèi)存條實際容量按16乘。在購買時也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ECC內(nèi)存。 Hynix(Hyundai)現(xiàn)代 現(xiàn)代內(nèi)存的含義： HY5DV641622AT-36 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品 2、內(nèi)存芯片類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V　 4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位 6、BANK數(shù)量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關(guān)系 7、I/O界面：1 :SSTL_3、　2 :SSTL_2 8、芯片內(nèi)核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新 9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片 10、內(nèi)存芯片封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ 11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MH......

回答(6).早在2002年6月28日，JEDEC就宣布開始開發(fā)DDR3內(nèi)存標準，但從2006的情況來看，DDR2才剛開始普及，DDR3標準更是連影也沒見到。不過目前已經(jīng)有眾多廠商拿出了自己的DDR3解決方案，紛紛宣布成功開發(fā)出了DDR3內(nèi)存芯片，從中我們仿佛能感覺到DDR3臨近的腳步。而從已經(jīng)有芯片可以生產(chǎn)出來這一點來看，DDR3的標準設計工作也已經(jīng)接近尾聲。 在2009年冬季即將結(jié)束，三星正式推出目前世界上單顆密度最大的DDR3芯片，基于50納米制造工藝，推單顆容量到了4GB,這個終于使得我們可以更快的跨入64位的時代，因為單根PC內(nèi)存條的容量已達到了驚人的32GB。 新的芯片比先前的DDR3芯片功耗降低了40? 如果該內(nèi)存條是正品的話 那可能用的是早期生產(chǎn)的不成熟的內(nèi)存顆粒 不然的話該內(nèi)存條估計是拼裝的 然后JS當成正品賣